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| Date de publication | Titre | Auteur(s) | | 8-oct-2015 | Contribution à l’étude des propriétés électroniques, structurales et optiques des matériaux nitrures (AlN, GaN et InN) et de leurs alliages ternaires (AlGaN et InGaN) utilisés dans les diodes lasers | BELOUFA, Abbès; BENSAAD, Zouaoui |
| 6-mar-2014 | Contribution à l’étude des propriétés électroniques, structurales et optiques des matériaux nitrures (AlN, GaN et InN) et de leurs alliages ternaires (AlGaN et InGaN) utilisés dans les diodes lasers | BELOUFA Abbès, Abbes; BENSAAD, Zouaoui |
| 12-fév-2015 | Contribution à l’étude des propriétés physiques des alliages AlxIn1-xN, et PrFe4P12 par la méthode ab initio FP-LMTO. | BELFEDHAL, ABDELMOUNAIM; AMERI, MOHAMMED |
| 23-jan-2014 | Contribution à l'étude des propriétés structurales, électroniques et optique de l'alliage IA-N Alx N. | BELFEDHAL, ABDELMOUNAIM; AMERI, Mohammed |
| 2022 | Etude de l'impact des états d'interface sur les propriétés électriques des hétérostructures à base de semi-conducteurs III-V nitrurés. | BAGHDAD BEY, Abdelkader; TALBI, Abbassia |
| 29-sep-2021 | Etude des propriétés structurales, électroniques et optiques des composés In(Ga)N et des superréseaux InN/GaN suivant les deux orientations (001) et (110) appliquées pour dispositifs optoélectroniques | BACHIR BOUIADJRA, Bachir; Encadreur: Mehnane, Noureddine |
| 25-jui-2015 | Etude des propriétés structurales et électroniques des ternaires cubiques GaAs1- xBix et BxIn1-x N | Abdiche, Ahmed; Abid, Hamza |
| 14-déc-2010 | Modélisation de diodes schottky à base de composés III-V GaN,SiC,GaN/GaAs,InN/InP | ZOUAOUI, Larbi; Encadreur: MANSOUR, Halima |
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