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http://hdl.handle.net/123456789/837
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| Titre: | Contribution à l’étude des propriétés électroniques, structurales et optiques des matériaux nitrures (AlN, GaN et InN) et de leurs alliages ternaires (AlGaN et InGaN) utilisés dans les diodes lasers |
| Auteur(s): | BELOUFA, Abbès
BENSAAD, Zouaoui |
| Mots-clés: | GaN
InN
AlN
AlGaN
InGaN
FP-LMTO
LDA
GGA
propriétés électroniques
structurales
optiques
élastiques
diode laser à hétérojonction
à double hétérojonction
densité de courant minimale
gain maximal |
| Date de publication: | 8-oct-2015 |
| Description: | Date de soutenance : 06/03/2014 |
| URI/URL: | http://hdl.handle.net/123456789/837 |
| Collection(s) : | Electronique
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