Modélisation de diodes schottky à base de composés III-V GaN,SiC,GaN/GaAs,InN/InP

Abstract

توصيف ثنئيات شوتكي بأساس أشباه النواقل III-V مننتريد الغاليوم GaN ، كاربونات السيليسيوم SiC ، InN/InP GaN/GaAs

-لقد أثبتت أشباه المواصلات ثلاثة، خمسة (III-V) على مدى سنوات عديدة من إمكانية تصنيع الأجهزة البصرية الإلكترونية: الثنائيات الكهروضوئية، ثنائيات اللزر ، و أجهزة الإستشعار ( حساسات الغاز، و الخلايا الشمسية...) فعالة جدا، أو الأجهزة التي تعمل في بيئات صعبة ذات حرارة عالية، و ذات تردد عال و استطاعة عالية. أشباه النواقل (III-V) المعالجة بالنتريد تدرس على نطاق واسع بسبب إمكانية تدخلها في صناعة المركبات الإلكترونية مثل الثنئيات أجهزة الإستشعار و الخلايا الشمسية. في حين تكمن المشاكل المواجهة في تكنولوجيا المركبات الإلكترونية الموجودة في إعداد و معرفة السطوح. مع التركيز على الثنئيات شوتكي، نظرا للآليات مختلفة تحكم سلوك معدن/شبه ناقل،التحسين و تحليل مثل هذا المركب ينطوي بالضرورة على النمذجة. مهمتنا هي دراسة سلوك ثنائي شوتكي على أساس ثالث/خامس(III-V) مثل GaN, SiC, GaN/ GaAs InN/InP ,

---------------------------------------------- «Modélisation de diodes Schottky à base de composés III-V : GaN, SiC, GaN/GaAs,InN/InP.»

Les semiconducteurs III-V ont prouvé depuis de nombreuses années leurs possibilités en matière de fabrication de composants optoélectroniques : diodes électroluminescences, diodes laser, et détecteurs (capteurs de gaz, cellules solaires….) très performants ou dans les dispositifs opérant en environnements hostiles, à hautes températures, à hautes fréquences et à fortes puissances.

Les composés III-V nitrurés, sont beaucoup étudiés en raison de leur important potentiel dans les dispositifs électroniques comme les diodes, les capteurs et les cellules solaires.

Cependant les problèmes rencontrés dans la technologie des composants électroniques résident dans la préparation et la connaissance des surfaces.

S’intéressant aux diodes type Schottky, vu les différents mécanismes régissant le comportement d’un contact métal/semicondicteur, l’optimisation et l’analyse d’un tel dispositif passe impérativement par une modélisation.

Notre travail consiste à étudier le comportement des diodes Schottky à base de composés III-V telles que : Gan, SiC, GaN/GaAs, InN/InP, moyennant une modélisation analytique adaptée à chacune des structures.