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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/1419

Titre: Contribution à l’étude des propriétés électroniques, structurales et optiques des matériaux nitrures (AlN, GaN et InN) et de leurs alliages ternaires (AlGaN et InGaN) utilisés dans les diodes lasers
Auteur(s): BELOUFA Abbès, Abbes
BENSAAD, Zouaoui
Mots-clés: GaN
InN
AlN
AlGaN
InGaN
FP-LMTO
LDA
GGA
propriétés électroniques
structurales
optiques
élastiques
diode laser à hétérojonction
à double hétérojonction
densité de courant minimale
gain maximal
Issue Date: 6-Mar-2014
URI: http://hdl.handle.net/123456789/1419
Appears in Collections:Electronique

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