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http://hdl.handle.net/123456789/1419
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Titre: | Contribution à l’étude des propriétés électroniques, structurales et optiques des matériaux nitrures (AlN, GaN et InN) et de leurs alliages ternaires (AlGaN et InGaN) utilisés dans les diodes lasers |
Auteur(s): | BELOUFA Abbès, Abbes BENSAAD, Zouaoui |
Mots-clés: | GaN InN AlN AlGaN InGaN FP-LMTO LDA GGA propriétés électroniques structurales optiques élastiques diode laser à hétérojonction à double hétérojonction densité de courant minimale gain maximal |
Date de publication: | 6-mar-2014 |
URI/URL: | http://hdl.handle.net/123456789/1419 |
Collection(s) : | Electronique
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