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Date de publication | Titre | Auteur(s) | 14-déc-2010 | Modélisation de diodes schottky à base de composés III-V GaN,SiC,GaN/GaAs,InN/InP | ZOUAOUI, Larbi; Encadreur: MANSOUR, Halima |
31-jan-2017 | Propriétés électriques et photoélectriques des diodes Schottky à base du matériau GaAs nitruré: Mesures et Simulation | RABEHI, Abdelaziz; Encadreur: AMRANI, Mohammed |
17-déc-2018 | Simulation, modélisation et caractérisations électriques des transistors HEMT’s à base de composés III-V nitrurés | MORDI, Nasseredine; Encadreur: CHELLALI, Mohammed |
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