Propriétés électriques et photoélectriques des diodes Schottky à base du matériau GaAs nitruré: Mesures et Simulation

Abstract

Le matériau GaAs présente des propriétés physiques remarquables, apparaissent comme parfaitement adaptés dans les applications hyperfréquences, pour l'électronique de puissance, mais également dans le domaine de l'optoélectronique (diodes photoluminescentes, diodes laser). L’intérêt de cette étude est de caractériser et simuler les caractéristiques photoélectriques d’un contact métal/ GaAs nitruré. Le but est de connaître l’effet de la couche de nitruration GaN sur les paramètres électriques et optiques de la structure Schottky. La simulation en question est de mettre au point un programme de calcul 1D de la tension photoélectrique qui sera comparée à celle obtenue par mesure expérimentale. Le programme est basé sur une résolution stationnaire simultanée de l'équation de Poisson et les deux équations de continuité des électrons et des trous, estimés à l'aide d'une méthode des différences finies. L’effet photoélectrique de surface est obtenu en effectuant des mesures de courant à l’obscurité et sous illumination (lumière). Le fit des mesures expérimentales estimant d’une part les valeurs des différents paramètres électriques et optiques du matériau et d’autres part valider le modèle développé.