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Date de publication	Titre	Auteur(s)
14-déc-2010	Modélisation de diodes schottky à base de composés III-V GaN,SiC,GaN/GaAs,InN/InP	ZOUAOUI, Larbi; Encadreur: MANSOUR, Halima
31-jan-2017	Propriétés électriques et photoélectriques des diodes Schottky à base du matériau GaAs nitruré: Mesures et Simulation	RABEHI, Abdelaziz; Encadreur: AMRANI, Mohammed
17-déc-2018	Simulation, modélisation et caractérisations électriques des transistors HEMT’s à base de composés III-V nitrurés	MORDI, Nasseredine; Encadreur: CHELLALI, Mohammed

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