Etude nanométrique des phénomènes de transport dans les dispositifs électroniques de semi-conducteurs composés III-V nitrurés.

Abstract

الملخص (بالعربية) :

الدراسة النانومترية لظواهر النقل في الأجهزة الإلكترونية لأشباه الموصلات المركبات نتريدات أشباه الموصلات مركبات III-V على أساس النيتروجين (InN, GaN)، هي الآن واعدة جدا في مجال الالكترونيات الدقيقة والالكترونيات البصرية. ونتريدات العنصر الثالث هي ركائز جذابة بشكل خاص للتطبيقات الضوئية في الطول الموجي القصير. المصلحة الرئيسية لهذه الأسرة من مواد عالية الفجوة الفرقة. ومن المقرر أن فجوة الحزمة مباشرة واسعة من الاهتمام المتزايد في هذه المواد، وخصائصها الإلكترونية سرعة التشبع والميدان انهيار عالية. في مجال الالكترونيات الدقيقة، نتريدات هي أفضل المرشحين لكافة تطبيقات ارتفاع في درجة الحرارة، وارتفاع الطاقة أو التردد العالي. ركائز أشباه الموصلات III-V مثل (InP, GaAs) هي ركائز المحتملة لنمو (InN , GaN).ومع ذلك خصائص heterostructures التي تم الحصول عليها.، ترتبط ارتباطا وثيقا بحالة السطح والواجهة والهدف من هذه الرسالة هو دراسة نانومترية بناءا على هذه المركبات نيتريد على ركائز (InP) الأمثل للعمليات التصنيع المختلفة وتوصيف المادية، والخصائص الإلكترونية تتطلب العديد التقنية التي ينبغي أن تكمل بعضها

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Résumé (Français et/ou Anglais) :

Etude nanométrique des phénomènes de transport dans les dispositifs électroniques de semi-conducteurs composés III-V nitrurés. Les semi-conducteurs composés III-V à base d’azote (InN, GaN), sont aujourd’hui très prometteurs dans le domaine de la microélectronique et de l’optoélectronique. Les nitrures d’élément III sont des substrats particulièrement attrayants pour des applications optoélectroniques à courte longueur d’onde. L’intérêt majeur de cette famille de matériaux réside dans leur très grande largeur de bande interdite. L’intérêt croissant pour ces matériaux est du à leur large bande interdite directe, et leurs propriétés électronique de vitesse de saturation et de champ de claquage élevés. Dans le domaine de la microélectronique, les nitrures sont les meilleurs candidats pour toutes les applications à haute température, haute puissance ou à haute fréquence. Les substrats semi-conducteurs III-V tels que l’InP et le GaAs constituent des substrats potentiels pour la croissance de l’InN et du GaN. Cependant, les caractéristiques de hétérostructures obtenues sont étroitement liées à l’état de surface et d’interface. L’objectif de cette thèse est l’étude nanométrique à base de ces composés nitrurés sur des substrats d’InP . L’optimisation des différents procédés de fabrication et la caractérisation des propriétés physique, électroniques nécessitent de nombreuses technique qui doivent être complémentaires les unes des autres et exploités dans cette thèse. Une modélisation des phénomènes de transport sera développée et corrélée aux résultats expérimentaux effectués.