Contribution à l'étude de photorécepteurs rapides. Cas du photodétecteur metal-semiconducteur-metal sur materiau iii-v.

Abstract

Dans ce travail, l’influence des paramètres dimensionnels sur le courant d’obscurité et le photocourant du photodétecteur Métal-Semiconducteur-Métal (MSM) interdigité et monoélectrode a été mise en évidence. Des photodétecteurs MSM de différentes grandeurs ont été réalisés sur GaAs (N.I.D) en utilisant le procédé de lithographie électronique. En obscurité, les caractérisations I (V) en DC en polarisation directe et inverse montrent la bonne symétrie des courbes, ce qui a révélé le bon fonctionnement des composants et la bonne réalisation des contacts Schottky. L’application d’une fibre lentillée couplée à un laser de longueur d’onde 0.8 µm et de puissance 16 mW pour un éclairement par le dessus des photodétecteurs MSM a permis de mesurer le photocourant et de voir son évolution et l’effet de variation d’impédance suivant les géométries des structures utilisées. Beaucoup d’investigations ont été faites pour l’utilisation des photoconducteurs dans la photocommutation en hyperfréquence. Dans cette optique, nous avons introduit les photodétecteurs MSM à contact Schottky dans le ruban central des lignes coplanaires afin de réaliser des commutateurs commandés optiquement sans polarisation appelés photo-interrupteurs. La caractérisation de ces composants en obscurité et sous éclairement nous a permis d’obtenir des rapports On/Off de 26 dB à 20 GHz et 28 dB à 25 GHz. Ces composants présentent un bon isolement en obscurité et de faibles pertes d’insertion ce qui est une alternative aux photo-interrupteurs réalisés sur GaAs basse température employés généralement à cet usage.