Modélisation et simulation d’un capteur chimique à base de transistor ISFET.

Abstract

L'utilisation des techniques de la microélectronique dans le domaine des analyses médicales, de l'environnement, de l'alimentation et de la pharmacie a fait apparaître des capteurs chimiques à base de transistors ISFET qui sont des transistors à effet de champs sensibles aux ions. Le développement de nouveaux capteurs fiables nécessite l'étude des paramètres physiques déterminant la sensibilité du transistor ISFET aux différents milieux chimiques dans lesquelles ils sont introduits. Une étude par simulation du régime de fonctionnement de l'ISFET et son influence sur la sensibilité ionique de ce transistor est développée dans ce mémoire. On étudie son fonctionnement en contact avec plusieurs types d'électrolytes et on détermine différents paramètres tels que la variation du potentiel électrostatique en fonction du pH de l'électrolyte. L'ensemble du travail de simulation est développé par l’intermédiaire du logiciel de simulation Nextnano.