Etude comparative des caractéristiques physiques des diodes LED à base de BeZnO/ZnO et MgZnO/ZnO.

Abstract

Parmi des semi-conducteurs à large gap, l'oxyde de zinc et ses alliages ternaires ont reçu une attention particulière ces dernières années en raison de leurs avantages potentiels par rapport aux nitrures III-V grâce à la disponibilité de substrat, croissance comparativement plus simple et la maitrise des technologies de traitement. Le large gap du ZnO (Eg=3.4 eV) et les possibilités d'ingénierie du gap offertes en dopant le ZnO par des éléments tels que le Mg, Cd, Be font le système de matériaux à base de ZnO un concurrent prometteur dans l'arène de verts, bleu et ultra-violet pour les émetteurs optoélectroniques. Parmi ces sources de rayonnement, on a les diodes LED et les diodes Laser qui connaissent actuellement beaucoup de développements dans le but d'améliorer leurs performances. L'objectif de ce travail de recherche est de faire une étude comparative des structures à puits quantiques de type MgZnO/ZnO et BeZnO/ZnO utilisées dans les diodes LED. En balayant donc les caractéristiques physiques de ces structures ainsi que les paramètres caractérisant ces diodes, nous discuterons des performances de ces composants.