Modes de défauts d’une cellule élémentaire et son impact sur un onduleur.

Abstract

Les applications en électronique de puissance nécessitent des composants ayant un certain pouvoir de commutation fortement efficace. Les composants subissent des efforts électriques et thermiques durant la commutation notamment quand le défaut se produit. Ainsi il est nécessaire de connaître les limites de fonctionnement extrêmes pour différentes charges. Dans des convertisseurs, le défaut d’un composant de puissance est un fait critique tant par la destruction du boitier et sa propagation au sein du système de conversion. Ce mémoire est une contribution à l'étude comportementale des composants de puissance en régime normal puis en régime extrême, traitant le mode de défauts du transistor IGBT et son impact sur un onduleur de tension alimentant une charge RL ou un moteur asynchrone. Dans ce travail, nous nous sommes intéressés à la caractérisation et la classification de défaut qui se produit au sein d’un convertisseur. Afin d’améliorer la sécurité du convertisseur et d’assurer sa qualité et sa continuité de service, des notes supplémentaires ont été présentées concernant la sûreté de fonctionnement et la fiabilité des onduleurs de tension. Des simulations numériques sur Psim ont été implantées pour déterminer chaque mode de défaut et son influence sur le comportement du système choisi.