Contribution à l'étude et à l'optimisation des caractéristiques physiques d'une diode laser à base de BeZnO/ZnO.

Abstract

Les semi-conducteurs à large bande interdite ont attiré beaucoup d'attention en raison de leurs applications potentielles pour des dispositifs optroniques dans le bleu et les régions (UV). Récemment, ZnO et ses alliages ont été proposés comme les nouveaux matériaux à gap élevé utilisés dans les dispositifs optoélectroniques pour les longueurs d'ondes courtes. De plus, les structures à puits quantiques à base de ZnO possèdent plusieurs avantages comparées à celles basées sur le GaN. Actuellement, les émetteurs optoélectronique attirent beaucoup d'attention dans le domaine de la communication optique, médical, etc. Plus particulièrement les diodes laser se sont distinguées par rapport aux diodes LED grâce à leurs meilleurs avantages. Ainsi, dans le cadre de ce sujet de mémoire de magister, on cherche à apporter une contribution à l'étude et l'optimisation d'une diode laser à base d'une structure à puits quantique du type BeZnO/ZnO. Ce travail consiste à faire une étude et une simulation afin d'aboutir à une optimisation des différents paramètres caractérisant ce composant. Une attention particulière sera portée sur les propriétés optiques afin d'accéder aux caractéristiques tels que le gain optique, courant de seuil ainsi que leur dépendance des différents paramètres intrinsèques des ces structures à puits quantiques. Les résultats obtenus seront comparés à d'autres travaux.