Etude par simulation d’un transistor HEMT à base de AlGaN/GaN.

Abstract

L'électronique de puissance comme moyen de contrôle de l'énergie prend une place très importante dans les technologies modernes. Les transistors HEMTs AlGaN/GaN sont largement utilisés dans les applications à forte puissance avec des grandes vitesses de commutation générant de faibles pertes. La recherche de modèles du transistor HEMT engendrant des simulations en accord avec l'expérience est devenue un défi pour la recherche actuelle. Nous proposons une méthode de modélisation de transistor HEMT permettant de comprendre le fonctionnement du transistor HEMT et de déterminer les facteurs déterminant la vitesse de commutation du HEMT. Les modèles adopté sera simulé à l'aide du logiciel Nextnano et silvaco ATLAS et étude de l'influence de quelques paramètres.