Etude et simulation d’un dispositif actif sous environnement SILVACO.

Abstract

Les matériaux semiconducteurs à large bande interdite de la famille des nitrures possèdent des propriétés physiques qui les placent en excellente position pour un ensemble d’applications dans les domaines de l’électronique et de l’optoélectronique. Parmi ces matériaux, le composé ternaire InGaN, qui a attiré beaucoup d’attention. Le développement de contact Schottky de haute qualité à base d’InGaN est difficile. En effet, ce matériau ne peut être réalisé comme substrat massif, sa croissance nécessite un substrat de base avec un bon accord de maille pour l’hétéroépitaxie. L’InGaN présente une densité de défauts élevée et une faible mobilité par rapport au GaN ainsi qu’une qualité structurale moyenne. Par conséquent, la fabrication de contact Schottky à base d’InGaN avec une grande hauteur de barrière et une bonne stabilité thermique est toujours un défi. Notre travail s’inscrit dans le cadre de la simulation des dispositifs électroniques sous environnement SILVACO, en particulier de la diode Schottky à base d’InGaN. L’étude concerne l’effet de la variation de quelques paramètres (coefficient stœchiométrique, dopage, épaisseur, défauts) sur les caractéristiques (I-V) et (C-V). Les phénomènes de polarisations spontanée et piézoélectrique sont importants dans ce type de matériau (III-N). C’est pourquoi, il est important de les prendre en compte dans nos simulations afin de se rapprocher le plus du comportement réel de la structure.