DSpace
 

Dspace de universite Djillali Liabes de SBA >
Thèse de Doctorat en Sciences >
Electronique >

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/2446

Titre: Investigation de l’ingénierie de bandes des cellules solaires à hétérojonction a_Si :H/c-Si : Modélisation et simulation numérique
Auteur(s): BENSMAIN, Asmaa
Encadreur:ZEBENTOUT, Baya
Mots-clés: Cellule solaire
hétérojonction (HJ)
silicium amorphe
AMPS-1D
Issue Date: 17-Dec-2018
Résumé: الملخص (بالعربية) : المحاكاة والتحسين من عناصر الإخراج في الخلايا الشمسية القائمة على تقاطع غير متجانس للسيليكون غير المتبلور المهدرج أي (a-Si:H) / السيليكون البلوري (c-Si) . هذا التطبيق الكهروضوئي يحظى حاليا باهتمام كبير في البحث والتطوير الصناعي مثل الوحدات المشتقة من خلايا HIT (Hetero function with Intrinsic Thin Layer) المزايا متعددة: إمكانات زيادة الإنتاجية العالية، وتصنيع منخفض للميزان الحراري T) >250 درجة مئوية) واستقرار أفضل في درجة الحرارة وتطبيق متكيف مع الطبقة السفلية الرقيقة. للقيام بذلك، تم تكييف برامج المحاكاة مثل AMPS-1D و AFORS-HET وتستخدم الهياكل التي تتكون من مواد غير بلورية لإجراء تحليل منهجي لتأثير كل منطقة خلية على معلمات الإخراج (غير متجانسة في اللوحة الأمامية، غير متجانسة في الخلف، واجهة سيليكون غير متبلور / بلوري، طبقة ITO و خصائص طبقات غير متبلور (. تفتقر فيزياء عمليات التبادل المتغاير المستندة إلى السليكون الغير متبلور/ البلوري لتطبيقات الطاقة الضوئية حاليا إلى الوضوح حول الفائدة من استخدام الانحراف P أوالانحراف N. Résumé (Français et/ou Anglais) : Simulation et optimisation des paramètres de sortie dans les cellules solaires à base de l’hétérojonction silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H)/silicium cristallin (c-Si). Cette application photovoltaïque suscite actuellement un grand intérêt au niveau de la recherche et du développement industriel tels que les modules dérivés de cellules HIT (Hetero junction with Intrinsic Thin layer). Les avantages sont multiples : un fort potentiel d’augmentation de rendement, une fabrication à faible budget thermique (T<250°C), une meilleure tenue en température et une application adaptée au substrat mince. Pour ce faire, des logiciels de simulation tels que l’AMPS-1D et l’AFORS-HET adaptés à des structures constituées de matériaux non cristallins sont utilisés afin d’effectuer une analyse systématique de l’influence de chaque région de la cellule sur les paramètres de sortie (hétérojonction face avant, hétérojonction face arrière, interface silicium amorphe/cristallin, couche ITO et propriétés de couches amorphes). La physique des hétérojonctions à base de silicium amorphe/cristallin pour application photovoltaïque manque actuellement de clarté sut l’intérêt de l’utilisation de type P ou de type N. Abstract : Simulation and optimization of output parameters in solar cells based on hydrogenated amorphous silicon (a-Si: H) / crystalline silicon (c-Si) heterojunction. This photovoltaic application is currently attracting great interest in research and industrial development such as modules derived from HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin layer) cells. The advantages are manifold: a high yield increase potential, a low thermal budget manufacturing (T <250 ° C), a better temperature stability and an application adapted to the thin substrate. To do this, simulation software such as AMPS-1D and AFORS-HET adapted to non-crystalline structures are used to perform a systematic analysis of the influence of each region of the cell on the output parameters (front-face heterojunction, back-face heterojunction, amorphous / crystalline silicon interface, ITO layer and amorphous layer properties). The physics of heterojunctions based on amorphous / crystalline silicon for photovoltaic applications currently lacks clarity using P-type or N-type.
Description: Doctorat en sciences
URI: http://hdl.handle.net/123456789/2446
Appears in Collections:Electronique

Files in This Item:

File Description SizeFormat
D_ELN_BENSMAIN_Asmaa.pdf6,57 MBAdobe PDFView/Open
View Statistics

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

 

Ce site utilise la plate-forme Dspace version 3.2-Copyright ©2014.