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Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://hdl.handle.net/123456789/2284

Titre: Elaboration et caractérisation des fenêtres transparentes et conductrices (ZnO dopé Aluminium)
Auteur(s): NAKRELA, Abdelkader
Encadreur: BENRAMDANE, Noureddine
Mots-clés: Al-doped ZnO thin films
XRD
substitutional and interstitial sites
Band Gap
SEM
Spray
Date de publication: 4-jui-2017
Résumé: Dans ce travail, les couches minces de l’oxyde de zinc, hautement transparentes, dopées par l’aluminium ont été élaborées sur des substrats en verre par le procédé de pulvérisation chimique réactive spray. La nature d’incorporation de l’atome d’Al dans la maille de ZnO a été déterminée par les analyses de diffraction RX et optique. En effet, pour des faibles dopages 2, les résultats de l’analyse des spectres RX montrent une réduction simultanée des paramètres de réseau (a et c), cette variation, qui suit la loi de VEGARD, tend à indiquer une substitution de Zn par Al. Par contre pour les dopages >2% l’augmentation des paramètres de réseau ainsi la taille des grains, conformément à la loi de VEGARD, peut s’expliquer par l’occupation des sites interstitiels par des atomes Al. Au delà de 4% le matériau tend à devenir désordonné et l’orientation des cristallites aléatoire. Les propriétés optiques étudiées montrent que la variation du gap optique suit une loi, pour x < 3%, de la forme x3/2 (x est la fraction d’atome d’aluminium incorporée dans la maille de ZnO). La structure granulaire, des couches, est assez visible et certaines croissances locales sont perturbées. La taille des cristallites à faible grossissement est cohérente avec les résultats DRX.
Description: Doctorat en sciences
URI/URL: http://hdl.handle.net/123456789/2284
Collection(s) :Electronique

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