Etude ab-initio des paramètres de courbure de alliages III-V GaAs(N) appliqués pour dispositifs optoélectroniques

Abstract

Le développement rapide de l’optoélectronique n’aurait pas lieu sans une excellente connaissance des propriétés des matériaux utilisés. L’étude des matériaux semiconducteurs occupe une place particulière et représente une étape essentielle dans la conception de n’importe quel dispositif optoélectronique. Le présent travail de recherche a été réalisé au sein du laboratoire des Matériaux Appliqués (AML) de l’université Djillali Liabès de Sidi Bel Abbès. L’objectif principal de part cette thèse est d’apporter une contribution à l’étude des propriétés structurales et électroniques des composés binaires GaAs et GaN, de alliages ternaire GaAs1-xNx, comme il s’adresse au superréseaux GaAs/GaN composé à partir de ces binaires et traite l’influence des axes de croissances 001 et 110 sur les propriétés de ces systèmes en utilisant la méthode linéaire des orbitales muffin-tin avec un potentiel totale (FP-LMTO) en employant l’approximation de la densité locale (LDA) implémentée dans le code de calcul lmtART qui est considérée comme un outil de choix pour la prédiction de nouveaux matériaux utilisés à réaliser des dispositifs électronique et optoélectroniques.