Etude des propriétés structurales et électroniques de l'alliage InxGa1-x Sb par la méthode ab-initio FP-LMTO

Abstract

Résumé (Français et/ou Anglais) :

Le but de ce travail est d'étudier les propriétés structurales et électroniques des composés binaires GaSb et InSb et leur alliage InxGa1-x Sb en utilisant la méthode Full Potentiel linear muffin-tin orbital (FP-LMTO). Cette étude s’appuiera sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). L’énergie d’échange et de corrélation est décrite dans l’approximation de la densité locale (LDA) en utilisant les paramètres de perdew. Nous avons calculé les paramètres de réseau, les modules de compressibilités, les structures de bande. On utilisant l'approche de Zunger, les origines microscopiques du paramètre de courbure (bowing) ont été détaillés et expliqués. Un accord raisonnable est trouvé on comparant nos résultats avec l'expérimental. Les mots clé: InSb ; GaSb; Semi-conducteur; FP-LMTO; Alliage; bowing.