Etude ab-initio de la structure électronique des semi-Heusler XRuSb :( X=V,Nb,Ta)

Abstract

Le but de ce travail est d’étudier les propriétés structurales, électroniques, élastiques, thermiques et optiques des matériaux semi-heusler :VRuSb,NbRuSb et TaRuSb dans la structure est cubique en utilisant la méthode des ondes planes augmentées (FP-LAPW) qui se base sur la théorie de la fonctionnelle de la densité DFT. Nous avons utilisé l’approximation de la densité locale (LDA); pour le potentiel d'échange et de corrélation, ainsi on a appliqué une version modifié de potentiel proposée par Becke et Johnson (mBJ) à nos composés pour le but d’améliorer les gaps et les approcher aux résultats expérimentaux. Les résultats des structures de bandes obtenus par l’approximation de mBJ sont améliorations considérables par rapport aux autres approximations (LDA, GGA, etc..). Le calcul des propriétés élastiques de nos composés montre que les valeurs du module de compressibilité B sont les mêmes avec celles trouvées dans les propriétés structurales et le paramètre A montrent que nos matériaux sont anisotrope. Les propriétés optiques aussi sont calculés par la nouvelle version du potentiel d’échange, mBJ Les résultats obtenus de toutes les propriétés étudiées se concordent bien avec ceux obtenus par d’autres travaux en particulier les gaps énergétiques qui attestent que nos composés se sont des semi-conducteurs et aussi les propriétés thermiques qui donnent le caractère thermoélectrique ce qui rendent nos matériaux meilleurs pour la fabrication des composants optoélectroniques notamment les capteurs de température et les cellules solaires.