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Titre: Propriétés électroniques et optiques des matériaux AIxGa-xAs1-xAs1-yNy applications aux VCSELs aux cellules solaires
Auteur(s): MERABET, Boualem
Encadreur: ABID, Hamza
Mots-clés: AlGaAs
Nitrides
GaAsN
AlGaAsN
FP-LAPW
Wien2k
LW-VCSELs
solar cells
energy gap
dielectric constants
Date de publication: 25-nov-2012
Résumé: The aim of my study is to investigate electronic and optical proprieties of the AlxGa1-xAs1-yNy thin layers utilized as quantum wells (QW) grown on GaAs substrates, applied for solar cells and vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs), in order to design high efficiency solar cell and long wavelength optoelectronic device applications. The method of calculations adopted is “Full Potential – Linear Augmented Plane Waves”, using the Wien2k code under Inux environment. This study will confront the available theoretical and experimental works in the optimization and design of solar cells and LW-VCSELs research areas.
Description: Doctorat en sciences
Doctorat en sciences
URI/URL: http://hdl.handle.net/123456789/1548
Collection(s) :Electronique

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