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Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://hdl.handle.net/123456789/1513

Titre: Modélisation et simulation de dispositifs nanoélectroniques
Auteur(s): SLIMANI, SAMIA
DJELLOULI, BOUAZA
Mots-clés: SOIDGMOSFET
NEXTNANO3D
high k
le courant de fuite
DIBL
Date de publication: 31-oct-2013
URI/URL: http://hdl.handle.net/123456789/1513
Collection(s) :Electronique

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