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Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://hdl.handle.net/123456789/1499

Titre: Etude des nanostructures lasers à base de nitrures d'antimoniure GaNSb/AlGaInNSb
Auteur(s): BERBER, Mohamed
Encadreur: ABID, Hamza
Mots-clés: FP-LAPW
Approximation densité locale
Alliages Quinaire
Les semi-conducteurs III-V
Date de publication: 17-déc-2014
Résumé: Les études théoriques ont joué un rôle fondamental dans le développement des nouveaux matériaux et des nouveaux dispositifs pour diverses applications industrielles. Avec le développement des méthodes ab-initio, il est maintenant possible d'accéder à une base de données d’une structure cristalline et utiliser un logiciel pour obtenir des propriétés intéressantes dans le cas où des mesures expérimentales sont absentes. A cet effet, nous avons tenté de déterminer les propriétés structurales, électroniques des nouveaux composés à base de Nitrure ‘N’ et Antimoine ‘Sb’, en utilisant la méthode des ondes plane augmentée au sein de la théorie de fonctionnelle de la densité DFT, qui est implémenté directement dans le code Wien2K. Tout d'abord, nous présentons l'étude théorique des propriétés structurales et électroniques des ternaires (nitrure et antimoine) (III-NSb) et quinaire AlxGayIn1-x-yN0.03Sb0.97. Le paramètre de réseau, le bulk modulus B et sa dérivée B' sont prédits. Nous notons que les paramètres réseaux sont en excellent accord avec la loi de Vegard; en ce qui concerne les propriétés électroniques telles que structure de bande ont été poursuivies, le résultat montre qu'il existe une différence entre les valeurs calculées dans le sens que la méthode LDA sous-estime la largeur de bande interdite. En second lieu, les propriétés optiques de l’alliage Al0.50Ga0.38In0.12N0.03Sb0.97 ont été étudiés; la fonction diélectrique, l'indice de réfraction, réflectivité, la conductivité optique, et les spectres de perte d'énergie ont été obtenues et analysées sur la base des structures de bandes électroniques et la densité d'états.
Description: Doctorat en sciences
URI/URL: http://hdl.handle.net/123456789/1499
Collection(s) :Electronique

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