Etude et caractérisation de nano-composants à base de semiconducteur III-N pour des applications en puissance et hyperfréquence

Abstract

Les transistors à effet de champ basé sur les semiconducteurs III-V sont à l’heure actuelle les candidats les plus prometteurs pour des applications de puissance telles que les télécommunications. Pour ce faire, des transistors à effet de champ tels les HEMTs AlGaN /GaN (High Electron Mobility Transistor) seront réalisés afin d’étudier certaines caractéristiques comme la montée en fréquence, la linéarité, les fortes puissances et une bonne tenue en tension. L’objectif de cette thèse consiste à comprendre les mécanismes physiques qui régissent la conduction et le fonctionnent des transistors HEMTs AlGaN/GaN, à améliorer et à maîtriser une technologie stable à haute fréquence. Afin de repousser davantage les limites imposées par les pièges de surface et la tenue en tension de ces composants, l’ajout d’une électrode de champ sera étudié. Des mesures électroniques du type courant- tension, capacité –tension seront effectuées, ceci afin de comprendre les mécanismes de formation de ces matériaux et d’optimiser le fonctionnement de ces dispositifs nanométriques réalisés à partir de ces matériaux. Enfin des interprétations et des discussions viendront compléter ce travail expérimental.