Etude des Nano-composants Nitrures/substrat III/V à base d'arséniure de gallium - caractérisation électrique et modélisation associées

Abstract

Ce travail se rapporte sur l'étude des structures à base de nitrures de galium, réalisé sur des substrats de GaAs en vue de réalisation de composants électroniques en particulier l'étude d'hétéro-structures nitrures/matériaux III-V appliqués dans des domaines optoélectroniques qu’à la réalisation de transistors hyper fréquence. Il permet de fabriquer des composants stables à hautes températures et à hautes fréquences. Pour mieux comprendre les phénomènes physiques et technologiques mis en jeu pour le fonctionnement de tels dispositifs nitrures/III-V et avoir la possibilité d’optimisé ces dernier, nous avons élaboré une série des échantillons de GaAs nitrurées à différentes épaisseurs comparés à un échantillon témoin (GaAs), à l’aide de spectroscopie, des électrons Auger (AES) et des photoélectrons X (XPS) avant d'être analysées in-situ par des mesures électriques I (V) et C(V). Les caractéristiques électriques effectués sur ces structures nous ont permis de déterminer les différents paramètres électriques, tels que le courant de saturation Is, le facteur d’idéalité n, la résistance série RS, la tension de diffusion Vd ainsi que le dopage Nd. Ces paramètres diffèrent d’un échantillon à l’autre. Une modélisation précède l’extraction de ces paramètres pour savoir quel modèle de conduction est prédominant dans nos structures à étudié. Les résultats obtenus confirment que nos structures sont de type diode Schottky.