Etude par la méthode du premier principe des propriétés structurales, élastiques et électroniques des composés SiX (X = Ge, Sn) .

Abstract

الملخص (بالعربية) :

لقد قمنا بدراسة الخواص البنيوية،الالكترونية، الميكانيكية و الإلكترونية للمركبات. وهي SiX (X=Ge, Sn),وهي أنصاف نواقل من نمط IV-IV باستعمال طريقة FP-LMTOالتي تعتمد علي نظرية كثافة الدالة DFT. في دراستنا للخصائص البنيوية تعيين معامل الخلية في طور التوازن.ثم تعيين معاملات الإنضغاط . كل النتائج المتحصل عليها قورنت بنتائج دراسات أخرى متوفرة.ثم حساب معاملات المرونة وفي النهاية درسنا الخواص الإلكترونية من أجل تحديد السلوك المعدني أو نصف الموصل لهذه المركبات. الكلمات المفتاحية: الخواص الالكترونية، الخواص البنيوية، معامل المرونة, FP-LMTO.DFT,

---------------------------------------------- Résumé (Français et/ou Anglais) : Ce travail fait l’objet d’une étude théorique des propriétés structurales, élastiques et électronique des composés à base de Silicium SiX(X=Ge, Sn) par la méthode FP-LMTO. Ces matériaux sont des semi-conducteurs de type IV-IV qui ont attiré beaucoup d’attention en vue de leurs propriétés physiques intéressantes dans les domaines de haute technologie.Dans une première phase de ce travail une étude de leurs propriétés structurales est investiguée. Leur paramètre de maille de la phase d’équilibre est déterminé, ensuite leur coefficient de compressibilité. Toutes les valeurs calculées seront systématiquement comparés à d’autres résultats disponibles dans la littérature. Une étude des propriétés mécaniques s’ensuit qui aboutit à un calcul de leurs constantes élastiques. Enfin l’étude de leurs propriétés électroniques est envisageable par le calcul de leur structure de bande afin de montrer leur comportement métallique ou semi-conducteur. Les mots clés : DFT, ab-initio, FP-LMTO, Structurales, élastiques, électroniques

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This work is the subject of a theoretical study of structural, elastic and electronic compounds based on silicon SiX (X = Ge, Sn) by the FP-LMTO method. These materials are semiconductors of type IV-IV which have attracted much attention for their interesting physical properties in high areas technologie.Dans first phase of this work a study of their structural properties is investigated. Their lattice parameter of the equilibrium phase is determined, then their coefficient of compressibility. All calculated values are systematically compared to other results available in the literature. A study of the mechanical properties ensues that leads to a calculation of their elastic constants. Finally the study of electronic properties is possible by calculating their band structure to show their metal or semiconductor behavior. Keywords : DFT, ab-initio, FP-LMTO, Structural, élastiC, électroniC