Etude des propriétés structurales et électroniques des hétérostructures semi-conductrices

Abstract

Dans ce travail, nous présentons les résultats d'une étude de premier principe des propriétés structurales et électroniques pour les composés binaire CdTe et ZnTe et leur super-réseaux (CdTe)n/(ZnTe)n pour les cinq configurations (n = 1 à 5) dans la phase zinc-blende. La méthode de calcul est basée sur la méthode linéaire des orbitales muffin-tin (FP-LMTO). L'énergie d'échange et de corrélation est décrite dans l'approximation de la densité locale (LDA) en utilisant le paramétrage Perdew-Wang y compris une approximation du gradient généralisé (GGA). Les propriétés structurales calculées de composés CdTe et de ZnTe sont en bon accord avec les données expérimentales et théoriques disponibles. Nous avons également effectué des calculs de structure de bande pour les composés binaire CdTe et ZnTe et de leur super-réseaux (SR) (CdTe)n/(ZnTe)n. D'après les résultats des propriétés électroniques, nous constatons que les matériaux CdTe et ZnTe et leurs super-réseaux ont la valeur du gap direct. La valeur du gap direct diminue avec l'augmentation du nombre de monocouche n.