Contribution à l’étude des propriétés électroniques, structurales et optiques du ternaires GaNAs et du quaternaire InGaNAs par la méthode FP-LAPW

Abstract

L'électronique et plus particulièrement l'optoélectronique est présente dans de multiples domaines et prend une place de plus en plus importante surtout dans les systèmes de télécommunications par fibres optiques et de conversion d'énergie. Le développement rapide de l'optoélectronique n'aurait pas eu lieu sans une excellente connaissance des matériaux utilisés. L'étude des matériaux semi-conducteurs occupe donc une place particulière depuis quelques années et représente toujours l'étape essentielle dans la conception de n'importe quel dispositif optoélectronique. Le but du présent travail est de contribuer à l'étude des propriétés structurales, électroniques et optiques des matériaux GaAs, GaN, InAs et InN et de leurs alliages ternaire InGaAs, InGaN, GaNAs et InNAs et quaternaire InGaAsN par le biais de la méthode d'ondes planes augmentée linéarisée (FP-LAPW) basée sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). La méthode FP-LAPW est implémentée dans le code de calcul WIEN2K approprié à la modélisation des solides.