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Date de publication | Titre | Auteur(s) | 8-oct-2015 | Contribution à l’étude des propriétés électroniques, structurales et optiques des matériaux nitrures (AlN, GaN et InN) et de leurs alliages ternaires (AlGaN et InGaN) utilisés dans les diodes lasers | BELOUFA, Abbès; BENSAAD, Zouaoui |
6-mar-2014 | Contribution à l’étude des propriétés électroniques, structurales et optiques des matériaux nitrures (AlN, GaN et InN) et de leurs alliages ternaires (AlGaN et InGaN) utilisés dans les diodes lasers | BELOUFA Abbès, Abbes; BENSAAD, Zouaoui |
29-sep-2021 | Etude des propriétés structurales, électroniques et optiques des composés In(Ga)N et des superréseaux InN/GaN suivant les deux orientations (001) et (110) appliquées pour dispositifs optoélectroniques | BACHIR BOUIADJRA, Bachir; Encadreur: Mehnane, Noureddine |
22-jui-2015 | Etude du comportement électrique des héterostructures à base de composés III Etude du comportement électrique des héterostructures à base de composés III nitrurés : GaN/GaAs » Etude du comportement électrique des héterostructures à base de composés III-V | KHELIFI, RESKI; MANSOUR, Halima |
24-sep-2020 | Etude électrique de type Capacité et Conductance en fonction de la tension de polarisation et de la fréquence et du Courant en fonction de la Température des structures à base de matériaux GaAs nitruré | BOUALEM, Soumia; Encadreur: BENAMARA, Zineb |
17-jan-2013 | Etude et caractérisation de nano-composants à base de semiconducteur III-N pour des applications en puissance et hyperfréquence | BENSEDDIK, Nadia; Encadreur: BENAMARA, Zineb |
6-oct-2021 | Etude, simulation et caractérisation de structures MIS et diodes Schottky à base de GaN massif. | SADOUN, ALI; Encadreur: MANSOURI, Sedik |
14-déc-2010 | Modélisation de diodes schottky à base de composés III-V GaN,SiC,GaN/GaAs,InN/InP | ZOUAOUI, Larbi; Encadreur: MANSOUR, Halima |
31-jan-2017 | Propriétés électriques et photoélectriques des diodes Schottky à base du matériau GaAs nitruré: Mesures et Simulation | RABEHI, Abdelaziz; Encadreur: AMRANI, Mohammed |
17-déc-2018 | Simulation, modélisation et caractérisations électriques des transistors HEMT’s à base de composés III-V nitrurés | MORDI, Nasseredine; Encadreur: CHELLALI, Mohammed |
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