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Date de publicationTitreAuteur(s)
14-sep-2017Caractérisation électrique et photoélectrique des hétéros structures à base de composés III-V nitrurésKACHA, Arslane Hatem; Encadreur: AKKAL, Boudali
16-déc-2021Elaborations et caractérisations de nanostructures réalisées sur des matériaux III/V nitrurésHELAL, Hicham; Encadreur: BENAMARA, Zineb
17-nov-2016Étude des propriétés structurales, électroniques et optiques de l’alliage quaternaire quadratique GaAlAsP par la méthode ab-initioMOUSSA, Rabah; Encadreur: ABDICHE, Ahmed
25-jui-2015Etude des propriétés structurales et électroniques des ternaires cubiques GaAs1- xBix et BxIn1-x NAbdiche, Ahmed; Abid, Hamza
22-jui-2015Etude du comportement électrique des héterostructures à base de composés III Etude du comportement électrique des héterostructures à base de composés III nitrurés : GaN/GaAs » Etude du comportement électrique des héterostructures à base de composés III-VKHELIFI, RESKI; MANSOUR, Halima
24-sep-2020Etude électrique de type Capacité et Conductance en fonction de la tension de polarisation et de la fréquence et du Courant en fonction de la Température des structures à base de matériaux GaAs nitruréBOUALEM, Soumia; Encadreur: BENAMARA, Zineb
23-oct-2016Etude par la méthode du premier principe des propriétés physiques de matériaux III-VAYAD, Mohamed; Encadreur: AMERI, Mohammed
14-mar-2013Modélisation théorique et simulation numérique de l'effet du désordre dans les systèmes ternaires à base de bore partiellement misciblesGUEMOU, M'hamed; BOUHAFS, Bachir
3-fév-2015Modélisation théorique et simulation numérique de l’effet du désordre dans les systèmes ternaires à base de bore partiellement miscibles GUEMOU, M’Hamed; BOUHAFS, Bachir
31-jan-2017Propriétés électriques et photoélectriques des diodes Schottky à base du matériau GaAs nitruré: Mesures et SimulationRABEHI, Abdelaziz; Encadreur: AMRANI, Mohammed
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